固体和半导体物理学家——黄昆
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固体和半导体物理学家——黄昆 (图)

来源:  发布时间: 2017-08-08 作者:

   


    黄昆,1919年9月2日生于北京,籍贯浙江嘉兴。世界著名物理学家、中国固体和半导体物理学奠基人之一。

    1941年毕业于燕京大学,1948年获英国布里斯托尔大学博士学位,1955年当选为中国科学院院士,1957年加入九三学社,1980年当选为瑞典皇家科学院外籍院士。1985年当选为第三世界科学院院士。曾获1995年何梁何利基金科学与技术成就奖、陈嘉庚数理科学奖。2001年获年度国家最高科学技术奖。2005年7月6日逝世。

    曾任中国科学院半导体研究所研究员、所长、名誉所长,中国物理学会理事长等。中国人民政治协商会议第五届全国委员会常务委员会委员,后分别连任第六届、第七届、第八届政协常委。中国物理学会理事长、科学院数理学部常委,中华人民共和国第三届全国人民代表大会代表(1964年)。

    黄昆主要从事固体物理理论、半导体物理学等方面的研究,是中国半导体物理学研究的开创者之一。完成了两项开拓性的学术贡献。一项是提出著名的“黄方程”和“声子极化激元”概念,另一项是与后来成为他妻子的里斯(A.Rhys,中文名李爱扶)共同提出的“黄-里斯理论”。提出固体中杂质缺陷导致X射线漫散射的理论,被称为“黄散射”,与里斯共同提出了多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论;同期佩卡尔发表了相平行的理论,被国际上称为“黄-佩卡尔理论”或“黄-里斯理论”;提出了晶体中声子与电磁波的耦合振荡模式,当时提出的方程,被称为“黄方程”;研究半导体量子阱超晶格物理。建立超晶格光学振动的理论,发表了后来被国际物理学界称为“黄-朱模型”的理论。

    黄昆和学生详细分析了Ⅲ-Ⅴ族化合物的量子阱和超晶格的空穴带的电子状态,发展了一种适用于超晶格结构的简单有效的计算方法,从而对量子阱和超晶格结构中空穴子带的性质、价带杂化和外加电场等对量子阱和超晶格中激子吸收的影响做了理论计算。他和学生系统研究了超晶格中的长波光学振动模式,指出流行的连续介电模型的结果是不对的,基于他在1951年提出的偶极振子晶格模型,他们提出了一个能描述迄今了解的实验事实的理论模型,得到了在一维和二维的量子系统中纵向光学振动和横向光学振动的类体模的正确描述。他们的这项工作对理解半导体超晶格的光学性质、光散射效应、电子和格波的相互作用起到了重要作用。